GPI65030DFN

Артикул производителя:
GPI65030DFN
Производитель/Бренд:
GaNPower
Краткое описание:
GANFET N-CH 650V 30A DFN8X8
Технические данные:
Соответствие RoHS:
Без свинца/Соответствует стандарту RoHS
Условия наличия:
8,500
Отправка из:
Гонконг
Способ доставки:
DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

Запрос цены (RFQ)

Поля с * обязательны “Форма запроса” Свяжемся с вами в ближайшее время Email: sales@xbdtech.net
* Артикул
* Производитель
* Требуемое количество
Цель (USD)
* Название компании
* Контакт
* Эл. почта
* Телефон
Сообщение
Производитель :
GaNPower
Категория товара :
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C :
30A
Drain to Source Voltage (Vdss) :
650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) :
6V
FET Feature :
-
FET Type :
N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
5.8 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds :
241 pF @ 400 V
Mounting Type :
Surface Mount
Operating Temperature :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case :
Die
Power Dissipation (Max) :
-
Product Status :
Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
-
Supplier Device Package :
Die
Technology :
GaNFET (Gallium Nitride)
Vgs (Max) :
+7.5V, -12V
Vgs(th) (Max) @ Id :
1.2V @ 3.5mA
Шаг 1:<br>Вакуумная упаковка с PL
Шаг 1:
Вакуумная упаковка с PL
Шаг 1:<br>Вакуумная упаковка с PL
Шаг 2:
Антистатический пакет
Шаг 1:<br>Вакуумная упаковка с PL
Шаг 3:
Упаковочные коробки

Международные службы доставки

TNT Express: глобальная экспресс-доставка

Международная доставка вовремя

DHL Express: мировой лидер

UPS: крупнейшая логистическая компания
FedEx: международные услуги
Банковский перевод (TT)
HSBC: международные банковские услуги
PayPal: безопасные онлайн-платежи
Western Union: денежные переводы
Кол-во Цена за шт. (USD) Общая сумма (USD)
1 15 15
10 14.25 142.5
100 14.1 1410
1000 13.5 13500
10000 13.35 133500

Почему мы?

  • 50+ млн позиций
  • Оригинальные товары
  • 365 дней гарантии
  • Доставка по всему миру

Товары на складе отгружаются сегодня

Рекомендуемые товары