HSG1002VE-TL-E

Артикул производителя:
HSG1002VE-TL-E
Производитель/Бренд:
Renesas Electronics America Inc
Краткое описание:
RF 0.035A C BAND GERMANIUM NPN
Технические данные:
Соответствие RoHS:
Без свинца/Соответствует стандарту RoHS
Условия наличия:
519,687
Отправка из:
Гонконг
Способ доставки:
DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

Запрос цены (RFQ)

Поля с * обязательны “Форма запроса” Свяжемся с вами в ближайшее время Email: sales@xbdtech.net
* Артикул
* Производитель
* Требуемое количество
Цель (USD)
* Название компании
* Контакт
* Эл. почта
* Телефон
Сообщение
Производитель :
Renesas Electronics America Inc
Категория товара :
Transistors - Bipolar (BJT) - RF
Current - Collector (Ic) (Max) :
35mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce :
100 @ 5mA, 2V
Frequency - Transition :
38GHz
Gain :
8dB ~ 19.5dB
Mounting Type :
Surface Mount
Noise Figure (dB Typ @ f) :
0.7dB ~ 1.8dB @ 1.8GHz ~ 5.8GHz
Operating Temperature :
-
Package / Case :
4-SMD, Gull Wing
Power - Max :
200mW
Product Status :
Active
Supplier Device Package :
4-MFPAK
Transistor Type :
NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) :
3.5V
Шаг 1:<br>Вакуумная упаковка с PL
Шаг 1:
Вакуумная упаковка с PL
Шаг 1:<br>Вакуумная упаковка с PL
Шаг 2:
Антистатический пакет
Шаг 1:<br>Вакуумная упаковка с PL
Шаг 3:
Упаковочные коробки

Международные службы доставки

TNT Express: глобальная экспресс-доставка

Международная доставка вовремя

DHL Express: мировой лидер

UPS: крупнейшая логистическая компания
FedEx: международные услуги
Банковский перевод (TT)
HSBC: международные банковские услуги
PayPal: безопасные онлайн-платежи
Western Union: денежные переводы
Кол-во Цена за шт. (USD) Общая сумма (USD)
1 0.39 0.39
10 0.3705 3.705
100 0.3666 36.66
1000 0.351 351
10000 0.3471 3471

Почему мы?

  • 50+ млн позиций
  • Оригинальные товары
  • 365 дней гарантии
  • Доставка по всему миру

Товары на складе отгружаются сегодня

Рекомендуемые товары